近日，美国Kyma公司新推出尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2的高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底。此外，其正在研发直径2英寸的氮化镓衬底，计划下一步进入量产阶段。
Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。另外，Kyma成功开发的高掺杂n+型氮化镓衬底芯片，n型载流子浓度达到了6´1018 cm-3，对应电阻率仅为0.005欧姆厘米。
目前，尽管n-型氮化镓仍可作为一种较好的初始生长材料，n+型氮化镓则更有优势，特别是对于垂直结构器件和降低器件接触电阻方面。在垂直功率电子器件方面，n+型氮化镓可获得超低的电阻，同时也降低了寄生电阻。而在LED等光电子器件方面，n+型氮化镓可获得低的垂直电阻，有效降低电流拥挤效应的发生。通过这些具有高电子浓度导电衬底的使用，将会使功率电子器件和光电子器件的性能和使用寿命得到大幅度提高，具有重大应用价值。
Kyma公司是一家专门生产氮化镓和氮化铝晶体材料的公司，这些材料在高性能的氮化物半导体器件方面具有广泛应用。
