在LEDinside Micro LED前瞻技术论文征集比赛中，各家厂商跟学者都针对Micro LED技术发展的不同面向提出解决方法。除了巨量转移与全彩化的技术外，Micro LED的背板也是技术突破的重要关键。
获得优选的美国新创公司QMAT，便聚焦于Micro LED的基板技术。其获选论文Engineered Substrates for High Efficiency Micro LEDs and Commercialized High Volume Manufacturing Production指出其EpiMax基板制造技术，能有效率提升Micro LED的制作效率，减少有机金属化学气相沉积法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的作用时间，并强化Micro LED的制造质量及效率，加速商业化进程。
论文作者: Philip Ong, QMAT
论文作者:Dong Lee, QMAT
QMAT的论文强调，使用氮化镓GaN作为MOCVD的基础层，能够强化设备的作用效率，并减少电流密度操作点的变异性。此外，QMAT的层次转移技术，能将目标基板设计成跟磊芯片转移前的基板一样，因此磊芯片能够被充分利用。
来源: QMAT
QMAT基板技术的优势在于能够强化设备性能，降低基板成本，还能减少MOCVD作用时间。同时，基板本身可以直接做为转移底座，并且整合雷射剥离技术层(Laser-Lift-Off)进行后续切除。
针对QMAT所提出的基板技术，交通大学光电研究所的评审认为，QMAT的EpiMax基板能够直接用于测试跟转印的设计，在Micro LED制程上相当具有优势。而台湾工研院CIMS联盟则认为，QMAT的基板能用于雷射剥离技术，降低LED晶粒的缺陷，有助于后续制程。
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