重磅!三安光电拟333亿元投建半导体相关产业项目

昨(5)日晚间,三安光电发布公告,公司于2017年12月5日召开的第九届董事会第五次会议审议通过了关于公司与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署《投资合作协议》的议案。

根据协议约定,公司拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司(项目公司名称待定,以下简称“项目公司”),投资总额333亿元(含公共配套设施投资),全部项目五年内实现投产,七年内全部项目实现达产,经营期限不少于25年,达产后年销售收入约270亿元(按当前产品单价计算)。

据公告显示,产业化项目包括:高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目;高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目;大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目;光通讯器件的研发与制造产业化项目;射频、滤波器的研发与制造产业化项目;功率型半导体(电力电子)的研发与制造产业化项目;特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。

三安光电表示,公司主要从事III-V族化合物半导体材料的研发与应用,着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片核心主业,努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

此外,本次投资项目属于国家着力打造的新兴战略性产业,具有节能环保等特点,符合公司产业发展方向和发展战略,目的是把主业做大做强做精,可充分发挥公司产业协同效应,丰富公司产品类别,大力提升公司产品附加值,延伸公司产业链,有利于进一步扩大公司产能,巩固公司行业地位,继续提升市场占有率,开拓新的应用领域,打造具有全球影响力的化合物半导体企业。

 


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