晶电谢明勋:GaN功率器件实现LED应用无限可能

“晶元光电一直以来有一个信念,就是实现LED无限可能。” 晶元光电股份有限公司副总经理谢明勋在6月11日由LEDinside、中国LED网及广州国际照明展主办的LEDforum 2015中国国际LED市场趋势高峰论坛上说道。

 

据晶元光电测试数据表明,一般si MOSFET转换的效率在87%,而更换 GaN 功率元器件可实现95%。但GaN材料一直被用在LED蓝光衬底材料,却忽视了其最原始半导体材料的应用。

而据美国能源局数据显示,全球能源除了天然气、煤炭和核能以外占居11.1%的风电、太阳能等能源,在使用si功率器件实现能源转换时,损失率高达10%,可见GaN材料的应用不应仅限于此。

晶元光电研发中心副总经理谢民勋先生表示,4H-SiC第一代被商业化的晶体管通过大尺寸,高成本来维持大电流的流通,而如金GaN高压晶体管可以实现高压、大电流,响应速度快以及更低成本。

从传统的灯泡到今天的LED,照明经历着传统照明、直流驱动LED照明到AC LED照明。AC LED或将是LED照明的最终最理想的方式,而目前市场最为关注的就是高压LED。

作为高压LED最重要的就是驱动元件,而GaN功率器件的出现解决了这个问题。据谢明勋先生表示,GaN功率器件是集电感电容的体积小、耐温为一体的产品,实现LED照明产品电路简单化。

晶元光电作为领先者,更是采用协同开发模式推出基于GaN高压晶体管的DOB技术,将电源驱动器直接封装在印刷电路板上,缩小光源尺寸,大幅降低传统灯具厂进入LED照明的门槛。以蓝光材料驱动蓝光LED,让LED应用无限可能的理想照进现实。(文/LEDinside Skavy)

 

如需转载,需本网站E-Mail授权。并注明"来源于LEDinside",未经授权转载、断章转载等行为,本网站将追究法律责任!E-Mail:service@ledinside.com

 

如需获取更多资讯,请关注LEDinside官网(www.ledinside.cn)或搜索微信公众账号(LED在线)。

【版权声明】
「LEDinside - LED在线」所刊原创内容之著作权属于「LEDinside - LED在线」网站所有,未经本站之同意或授权,任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部,亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。
【免责声明】
1、「LEDinside - LED在线」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释,该公开资料,属可靠之来源搜集,但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务,改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「LEDinside - LED在线」上出现的信息(包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等),力求但不保证数据的准确性,均只作为参考,您须对您自主决定的行为负责。如有错漏,请以各公司官方网站公布为准。