经过2013年下半年的努力，华上光电在2013年底成功地推出超高亮度红光与黄光的silicon基板LED，此款晶片是利用华上光电所拥有的专 利“雷射切割silicon技术” 所产出高信赖性的晶片。2014年初华上光电继续乘胜追击，在独家拥有的MOLY(MOLYBDENUM)基板专利技术上有了进一步的突破。相较于 GaAS与Silicon为材料的基板，MOLY基板在导热能力上更好，配合磊晶技术与光罩的全新设计，使成品晶片的电流传导更为平稳。加上MOLY为金 属材质的天生优势，延展性较其它材料的基板来的更好，大大的解决了封装厂在固晶、打线、切割…等制造时会造成晶片破裂的困扰，也解决LED成品长时间使用 晶片易裂而影响产品光电性的问题。
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| 814晶片(14mil)、820晶片(20mil)、842晶片(42mil) |
抗电压能力，以14mil晶片为例。相较于一般常用的GaAS基板或Silicon基板的晶片在长时间抗电压能力大多在70mA以内。而MOLY基 板的晶片长时间抗电压能力可承受到100mA甚至150mA，在高功率的建筑照明与车用照明上有极大的优势。此款晶片实际测出的亮度可达到 ”800mcd”，与其它台湾一线大厂的同尺寸晶片相比较，可说是目前市面上最亮的晶片。而该系列产品推出后，吸引了不少下游封装厂高度的询问。
