近日，关于SiC功率半导体的国际学会“ICSCRM 2013”于日本宫崎县举行。在展场内，多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸（150mm）的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸（75mm～100mm）晶圆的下一代产品。科锐已率先供货6英寸晶圆，但估计紧随其后的各SiC基板厂商会在2013年下半年～2014年陆续正式投放产品。
基板品质得到一致好评的新日铁住金目前已开始提供6英寸晶圆的样品，打算2014年开始量产供货。预定供应裸晶圆以及由外部企业完成外延膜成膜的外延晶圆。该公司称，其4英寸（100mm）晶圆的品质“包括差排缺陷密度在内，均达到了非常高的水平，6英寸晶圆也在减少缺陷迎头赶上”。目前新日铁住金正瞄准今后6英寸晶圆市场不断扩大的趋势，“讨论是否需要自己拥有外延膜成膜能力”。
另外，新日铁住金的母体企业是过去的新日本制铁和住友金属，住友金属以前一直在开发基于溶液法的SiC结晶成长技术。因此，新日铁住金目前正在同时开发溶液法和（原新日本制铁开发的）升华法两种技术。
罗姆旗下的SiCrystal公司将于2013年底～2014年3月开始量产供应6英寸晶圆。SiCrystal的销售代理商介绍说，SiCrystal并未开发外延晶圆，而是专注于如何低价供应高品质裸晶圆。由于建立了由罗姆迅速对开发出的SiC晶圆进行测评的体制，因此“可以尽快获得基板品质的相关反馈意见，从而促进品质的提高”。
昭和电工于2013年9月30日已宣布确立了150mm直径外延晶圆的量产技术。该公司已从2013年初开始提供该晶圆的样品，将从10月开始提供产品。计划先只提供n型外延晶圆，2015年前后再开始提供p型外延晶圆。（责编：Flora）
来源：日经技术在线
