蓝光LED发明人中村修二来访上海微系统所作学术报告

近日,蓝光LED发明人、美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)工程学院材料系中村修二(Shuji Nakamura)教授来访中科院上海微系统所并作了学术报告。

中村修二教授的报告题目名为“Recent Advances in Nonpolar and Semipolar GaN for Blue and Green Laser Diodes and LEDs”。报告中,中村修二教授介绍了近期其团队在基于非极化和半极化GaN的蓝/绿光激光二极管和LED方面的研究工作及成果。中村修二教授及其团队利用该技术制作出超高亮度激光二极管和LED,未来在高亮度照明、激光显示等应用上具有广阔前景。

【版权声明】
「LEDinside - LED在线」所刊原创内容之著作权属于「LEDinside - LED在线」网站所有,未经本站之同意或授权,任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部,亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。
【免责声明】
1、「LEDinside - LED在线」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释,该公开资料,属可靠之来源搜集,但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务,改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「LEDinside - LED在线」上出现的信息(包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等),力求但不保证数据的准确性,均只作为参考,您须对您自主决定的行为负责。如有错漏,请以各公司官方网站公布为准。