红外线薄膜芯片创新纪录 效率跃至72%

欧司朗光电半导的红外线芯片原型产品创新纪录,效率最高可达72%。在实验室条件下,1 A 操作电流下的输出约为930 mW,这芯片的光输出比市面上目前可得的芯片高约25%,这表示,未来的红外线LED省电效率将会更高。

这项由雷根斯堡研发实验室得出的成果,创造了新的里程碑。芯片的波长为850 nm,以红外线薄膜芯片技术制成的1 mm2 芯片,在100 mA 的操作电流下的效率可达72%。这种效率称为功率转换效率(wall plug efficiency,简称WPE),指的是辐射功率转换成电输出功率的效率。

外部量子效率(external quantum efficiency,简称EQE),也就是从每个电子中创造出光子以及从LED芯片发射出来的机率,最高可高达67%,在最高1A 操作电流下也高于64%。

这个芯片原型产品的波长为850 nm,比较适合红外线照明,尤其是用于监视以及闭路电视摄影机之用。这也可以用在某些极具潜力的汽车安全装置上,例如防碰撞感应器以及夜视系统的照明光源。

欧司朗光电半导体雷根斯堡总部的 IRED 开发专案经理 Markus Bröll 指出:“提高效率与亮度的作法,可以从850 nm 转移到其他的波长上去。这代表红外线照明未来很可能创造出省电效率更高的解决方案。”不仅如此,在多芯片应用所需要的元件将会更少,这可以省钱及节能。预计新的芯片会在明年初与明年中之间加入系列化产品。

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