台积电抗三星 资本支出冲新高

日前,台积电董事长张忠谋透露将提高2012年资本支出,新金额将大于2011年的72.9亿美元(约新台币2,152亿元),调升幅度有望超过17.8%,极可能超越三星逻辑芯片系统部门(LSI)的73亿美元。这不仅是台积电的新高纪录,更凸显力抗三星的企图。

张忠谋出席于美国时间17日在旧金山展开的台积电年度技术论坛,他表示,“只要28奈米产能赶紧扩充,台积电最坏情况确定过去。”这项谈话引发法人圈对调高资本支出题材正面解读,昨(18)日台积电上涨1.2元新台币,收盘价重新站上85元新台币。

台积电今年原订资本支出60亿美元,与去年相比减少17.7%。但随着28奈米产能告紧,日前已确定会调高资本支出,实际金额将于26日公司法说会宣布。半导体业者认为,台积电因应28奈米需求,大幅拉高后的资本支出金额可能超越三星,与三星互别苗头的竞争意味浓厚。

值得注意的是,台积电竞争对手之一的三星LSI,因为看好行动装置带来的应用处理器需求,今年资本支出大增至73 亿美元,年增率高达75%,旗下美国德州Austin厂,月产能3万至4万片,几乎是替苹果处理器所预备,也是三星大幅扩充资本支出的主要需求。

台积电两年前就改变经营策略,以高资本支出、高研发拉开与竞争对手的距离。张忠谋此次赴美主持台积电美西技术论坛更强调,台积电今年提高资本支出是因为28奈米产能不够,绝非28奈米良率的考虑,目前28奈米良率都在控制中。

目前台积电是28奈米唯一量产的晶圆代工业者,高通、辉达、超威都是28奈米主力客户。为解决客户需求,台积电位于中科Fa15第一、二期已投产,第一季台积电12寸月产能约30.4万片,在公司全力扩产下,设备商估计,台积电三座超大晶圆厂预计到今年底可贡献40万片约当12吋晶圆月产能,领先对手三星三至四倍。


 

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