沛鑫半导体100 lm/W高功率LED近期可望实现商用

富士康旗下LED制造商,沛鑫半导体表示,具有100 lm/W发光效率的高功率LED将在今年3月或4月投入商用。沛鑫半导体预计到2010年前LED光效率将会达到150 lm/W,有助于使用LED的街灯的成本减半。

先前日本LED大厂日亚化(Nichia)在2006年就推出了100 lm/W发光效率的LED。Cree公司的LED芯片的光效率可以达到130 lm/W,但由于成本高产品很难用于商用。因此,LED的光效率主要是70~80 lm/W,60~75 lm/W可以取代目前高压钠灯。

2006年至2010年,高功率LED照明应用的复合年增长率达到75.2%,市场规模在2008年达到3.8亿美元。
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