GaN-on-silion LED开发方案得到英国支持
2007-06-11 16:05:33 [编辑：jane.hjh]
英国政府日前对基于LED的固态照明灯具的节能认知有所提高，并向由Filtronic、Qinetiq和剑桥大学组成的团队签订了一份300万英镑的合约，以支持该团队项目的开发，实现低成本LED芯片的产制。
Filtronic公司是一家制造手机和国防用GaAs射频电路的公司，此次与Qinetiq和剑桥大学合作开发基于6英寸硅衬底的GaN发射器，目的在于通过研究大直径衬底和成熟量产的一致性，来实现低成本芯片的制备。公司表示，如果该项目获得成功，英国将可能首次成为量产LED芯片的基地。
一般而言，目前实现商业化的GaN LED都是在蓝宝石或硅化硅(SiC)衬底上制备出来的，这两种衬底都有一定的缺点：蓝宝石在向大尺寸芯片生产上有一定困难，而SiC相对比较昂贵。目前GaN-on-SiC LED的生产还处于开发阶段，Cree也开始将其GaN-on-SiC LED的生产向4英寸芯片转移，人们普遍认为日本Shimei Semiconductor公司正在将其拥有的GaN-on-silion制备方法商业化，尽管该公司网站还未有任何产品披露。
合作团队表示，6英寸衬底开发GaN LED的新颖方法潜力很大，该项目将使固态照明路线前进一大步，为英国进入未来主流市场提供了一条很好的路径。
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